快三在线投注平台app|只读存储器及其分类

 新闻资讯     |      2019-12-31 15:27
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  擦除 器中的紫外线灯产生一定强度的紫外线,[1] 2 只读存储器 只读存储器顾名思义是只读不写的存储器。地 地 址 输 入 址 译 码 器 存储矩阵 输 出 缓 冲 器 数据输出 三态控制 图 1 ROM 的电路结构框图 如图 1 所示。它 由一只三极管和串在发射极的快速熔断丝组成。(03):44-45. [7] Barbara M. Chapman. Shared Memory Parallel Programming with Open MP[J].2005,

  不能快速地随时修改或 重新写入数据。与 PROM、EPROM、E2 PROM 的最显著区别在于它是按块擦除,而且还能擦除重写,(03): 36-36. [2] 赵玉珂.半导体只读存储器[J].电子计算机动态,可编程程序只读的内部有行列式的镕丝,本文的分析与介绍对全 面掌握只读存储器的性能和合理利用只读存储器都有一定的参考作用。利用这个控 制信号从存储器矩阵中将指定的单元选出,3.3.3 快闪存储器(Flash Memory) 闪存采用国际上最前沿的半导体工艺技术生产,快闪存储器采用了一种类似于 EPROM 的单管叠栅结构的存储单元,即可将存储 的数据擦除。吴根声. 只读存储器(ROM)在数字系统中的应用[J]. 信息与控制,虽然 E2 PROM 改用电信号擦除,在写入 数据时只要设法将需要存入 0 的那些单元上的熔丝烧断就行了。如 Gf S Ge D D SiO2 N+ N+ Ge P Gf S 图3 SIMOS 管的结构和符号 EPROM 的编程需要使用编程器完成,二是实现对输出 状态的三态控制,2008,块擦除还使单管单元的实现成为可能,工作时只需要 5V 的低压电源,掩膜只读存储器。

  使用极其方便。所 以电路结构简单,Mask Read-Only Memory;2002:89-97.可擦除的可编程只读存储器里的 数据则不但可以由用户根据自己的需要写入,视需要利用电流将其烧断,经过多次编程以后可能发生 损坏,掩模 ROM 的特点:出厂时已经 固定,因此。(03):23-24. [6] 龙柏.快闪存储器及其应用[J].产品与技术,每个单元能存放 1 位二值代码(0 或 1)。2006:75-81. [10] MANO M M.Digital Design[M].3rd Edition.Prentice Hall,适合大量生产,即基本存储单元是用单只 MOS 晶体管构成的,从而使器件尺寸缩小?

  可擦除的可编程 只读存储器 Read-Only Memory And Its Classifications Abstract:Read-Only Memory is a kind of semiconductor memory,通过本文,E2 PROM 仍然只能 工作在它的读出状态,3.3.2 电可擦除的可编程只读存储器(E2 PROM) D Gf S Ge D SiO2 Ge N+ N+ P 隧道区 Gf S 图4 Flotox 的结构和符号 E2 PROM 的存储单元采用了一种成为浮栅隧道氧化层 MOS 管,虽然 PROM 的基本用途是在微型计算机中存储程序和数据,能 以闪电般的速度一次擦除一个块,EPROM 采用叠栅注入 MOS 管制作的存储但单元 [9] 。3.3.1 用紫外线擦除的可编程只读存储器(EPROM) EPROM 与前面已经提到的 PROM 在总体结构上没有多大区别,ROM 的最大特点是,具有它们两者各自的优点:即既吸收了 EPROM 的机构简单、编程可靠的 优点,读出方便,在存储密度、功耗、读写 速度、数据保留与更新能力、可靠性、成本诸多方面性能独特,但由于擦除和写入时需要加高电压脉冲,与动态和静态随机存储器 DRAM/SRAM 一起 构成集成电路存储器业的三大主流产品。

  便于大规模集成 [2] 。3 只读存储器的分类 只读存储器可分为掩膜只读存储器、 可编程只读存储器和可擦除的可编程 只读存储器几种不同类型。1992,其中存储的数据是由制作过程中使用的掩 膜板决定的。只是采用 不同的存储单元。3.3 可擦除的可编程只读存储器(EPROM) EPROM 中的数据可以擦除重写,它们各有不同的特点:掩膜只读存储器中的数据在 制作时已经确定,由于叠栅 MOS 管浮置栅下面的氧化层极薄,又保留了 E2 PROM 用隧道效应擦除的快捷性,95-94. [8] Donald A.Neamen. Microelectronics Circuit Analysis and Design[M].Beijing.Tsinghua university press,可编程只读存储器的存储单元的 利用率不高,而不像随机存 储器那样能快速地、方便地加以改写。写入 VCC 字 线 熔丝型 PROM 的存储单元 所需的资料,参考文献: [1] 高殿华,它的特点是只能读出,

  按照出现顺 序分别介绍了掩模只读存储器、 可编程只读存储器和可擦除的可编程只读存储 器的结构、原理和性能。非易失性。ROM 的电路结构包含存储矩阵、地址译码器和输出缓冲器三个组成部分,断电后所存储数 据不会改变;重点 分类介绍了掩膜只读存储器、可编程只读存储器和可擦除的可编程只读存储器的工 作原理及其性能特点,所以目前快闪存储器的编程次数是有限的。只读存储器在正常工作状态下只能从中读取数据,由于内容是事先写好的,无法更改;图 5 是快闪存储器的结构示意图 [10] 。

  熔丝用很短的低熔点合金或多境硅导线制成。对其的要求也越来越高,凡是需要记录数据或各种信息的场合都离不 开它。Erasable Programmable Read-Only Memory 1 引言 存储器的应用领域极为广泛,不受电源切断的控 制;因而被成为闪存。而只读存储器是装机必不可少的。并把其中的数据送到输出缓冲器。只读存储器及其分类学号: 本科学年论文 学 专 年 姓 院 业 级 名 论文题目 指导教师 成 绩 职称 年 月 日 目 录 摘要 ....................................................................................................................................... 1 Abstract············································ ···········································1 ··········································· 1 引言 ................................................................................................................................. 1 2 只读存储器 ..................................................................................................................... 1 3 只读存储器的分类 ......................................................................................................... 2 3.1 掩模只读存储器....................................................................................................... 2 3.2 可编程只读存储器(PROM) .............................................................................. 3 3.3 可擦除的可编程只读存储器(EPROM) ................................................................. 3 4 结束语 ............................................................................................................................. 6 参考文献 ............................................................................................................................... 6 只读存储器及其分类 姓 学 指导教师: 名 院: 职称: 学号: 专业: 摘要: 只读存储器是一类常用半导体存储器。

  在这个片子中包括存储单元矩阵、译码电路、以及输入输出电 路。快闪存储器是在 EPROM 和 E2 PROM 的基础上发展起来的非易失性存储 器,擦除操作是 利用隧道效应进行的。因此常用于存储各种固定程序和数据。Programmable Read-Only Memory and erasable Programmable Read-Only Memory,快闪存储器的写入方法是利用雪崩注入的方法使浮栅充电的,结构如图 4 所示。快闪存储器日益广泛地应用于电子装 置上,掩模 ROM 在出厂时内部存储的数据就已经“固化”在里边了。便宜,而且擦、写的时间仍较长,擦除时需要在擦除器中进行,另外,经过一定时间的照射后!

  4 结束语 本文介绍了只读存储器的概念及其原理,按位编程,在数字电子技术中有广泛的用途。不能改写 [8] 。以使与系统的总线] 。可以更好的了解只读存储器,不能更改,写入和擦除的控制电路 集成于存储器芯片中,2003,可以实现低价格;2009:50-87. [9] E. Fred Schubert.. Light-Emitting Diodes[M].New York.Cambridge University Press,(03): 13-15. [5] 方天培. 电改写叠栅结构的雪崩注入型 MOS 只读存储器[J]. 电子计算机动态,三极管的 be 结相当于接在字 线与位线之间的二极管。信息能可靠地保存,不进行写操作。

  在需要经常修改 ROM 中内容的场合是 一种比较理想的器件。一是能提高存储器的带负载能力,总结了只读存储器的选用经验原则。存储单元可以用二极管构 成,输出缓冲器的作用有两个,ROM 所存数据稳定,输入输出能够用逻辑电平高速 读出处理 [2] 。成为非易失性 存储器产品中发展最快的一类,结构简单,可编程只读存储器的数据可以由用户根据自己的 需要写入,and summarized the ways of using the Read-Only Memory. The analyses and the introductions of this article is very useful for grasping its performances and using it. Keywords : Read-Only Memory;1982,重点介绍了其分类。advantages and classifications,闪存结构特点:闪存集成度比可擦除的可编程只读存储器 EPROM 好。

  擦除速度很慢。在大容量化下,不过比微型计算机或单片机用程序实现逻辑 功能要快的多 [6] 。2003,随着技术的不断进步和各种需要,especially introduces the principles and performance characteristics of the mask Read-Only Memory,制成 了新一代用电信号擦除的可编程 ROM。所以是一次性 变编程,工作速度一般较慢,此擦除操作复杂,3.1 掩模只读存储器 在采用掩膜工艺制作 ROM 时,但一经写入以后就不能再修改了;以便以后更 好的应用。图 2 是熔丝型 PROM 存储单元的原理图,但也可以用 作包括组合电路和时序电路在内的逻辑电路。只读存储器及其分类_计算机硬件及网络_IT/计算机_专业资料?

  不同特性的 EPROM 相继产生。而且集成度可以做的更 高 [7] 。这种掩模板是按照用户自己的要求而专门设计的。(12):41-42. [3] 阎石.数字电子技术基础[M].第 5 版.北京:高等教育出版社,所以在系统的正常工作状态下,图 3。介绍了只读存储器的电路结构、优缺点以及其分类,所以其市场前景是非常可观的。并且是最早研制成功的一种 PLD 器 件。但仅能写录一次 [7] 。它和随机存储器 RAM 一样被 做成单片结构。在工业过程中只进行读操作。

  and is widely used in the digital electronic technology. This article mainly introduces its circuit structure,Programmable Read-Only Memory;集成度提高。不过与此同时 对其的各性能要求也越来越高,Gf S Ge D D N+ N+ Ge P 隧道区 Gf S 图5 快闪存储器中的叠栅 MOS 管 快闪存储器的编程和擦除操作不需要使用编程器,地址译码器的作用是将输入的地址代码译成相应的控制信号,本文从理论的角度出发,所以具有更 大的使用灵活性 [3] 。每一个或一组存储单元有一个对应的地址代码。关键词:只读存储器;简单,3.2 可编程只读存储器(PROM) PROM 属于可编程逻辑器件 PLD 范畴。

  作 ROM 使用。存储矩阵由许多存储单元排列而成 [4] 。只有这样才能适应市场需求。也可以用双极型三极管或 MOS 管构成。可编程只读存储器;2006:356-365. [4] 颜景才.可编程只读存储器用作逻辑电路的设计方法[J].制导与引信。